檢索結果：共4筆資料 檢索策略： "memory".ekeyword (精準) and ckeyword.raw="內建自我修復"
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隨著製程技術發展，單一晶片上電晶體數目越來越多，導致積體電路發展速度逐漸緩慢，利用矽穿孔技術的三維積體電路提供了有效的方式可以解決此問題，可以縮短訊號傳輸的距離、使晶片密度降低及提高晶片整體效能。由…
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快閃記憶體為具有低功耗、可擴充性、高效能等優點的非揮發性記憶體，使其成為消費性電子產品中常見的儲存元件，像是固態硬碟、手機和筆記型電腦等產品。快閃記憶體的儲存方式是將電子儲存至浮閘中，隨著製程的進步…
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近年來，錯誤修正碼 (ECC) 技術與內建自我修復 (BISR) 技術皆被廣泛地使用來提升記憶體的良率與可靠度。錯誤修正碼技術以及內建自我修復技術主要分別用來處理軟錯誤與硬錯誤。而在過去有許…
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快閃記憶體具有可擴充、低功耗、高效能等優點，使其廣泛地存在於消費性電子產品中；隨著製程演進，不斷增加的資料密度使儲存資料的雜訊容忍範圍縮小，導致快閃記憶體的良率與可靠度下降。因此，我們需要探討更加高…